PNY CS900 4TB vs Samsung 870 EVO 4TB

PNYCS900 4TB4000 GB · 560 MB/s · 540 MB/s · 3 añosAdelante en Escritura secuencial
Samsung870 EVO 4TB4000 GB · 560 MB/s · 530 MB/s · 5 añosAdelante en Garantía
En resumen

El sitio no guarda precio actual de al menos uno de los dos, así que lo que sigue compara solo especificaciones.

EspecificaciónPNYCS900 4TBSamsung870 EVO 4TB
Capacidad (GB)40004000
Lectura secuencial (MB/s)560560
Escritura secuencial (MB/s)540mejor530
Mejor precio actual1 269,00 €en Amazon.fr · registrado el 2026-09-13
Price per TB317,25 €
Garantía (años)35mejor
Caché DRAMYes
Tipo de NANDtlctlc
ControladoraSamsung MKX controller

Cómo se comparan estos dos

Tasa de transferencia secuencial

PNY CS900 4TB está especificado en 560 MB/s de lectura y 540 MB/s de escritura; Samsung 870 EVO 4TB, en 560 MB/s de lectura y 530 MB/s de escritura. El enlace SATA tiene un tope de unos 550 MB/s en cada sentido y ambos trabajan contra ese techo; las diferencias más reveladoras entre discos SATA están en cómo aguanta cada uno la carga sostenida, si lleva caché DRAM y cuánta escritura está certificado a soportar.

Caché DRAM

PNY CS900 4TB no indica caché DRAM; Samsung 870 EVO 4TB lleva caché DRAM. Una caché DRAM guarda la tabla de asignación de la unidad —el índice de dónde reside físicamente cada bloque—, de modo que la controladora coloca y localiza los datos sin una consulta extra a la memoria flash. Una unidad sin DRAM toma en su lugar un poco de memoria del sistema (HMB) o una porción de su propia flash, y es más propensa a ralentizarse cuando una larga tanda de escrituras aleatorias agota su caché rápida.

NAND, controlador y garantía

NAND: PNY CS900 4TB usa TLC y Samsung 870 EVO 4TB usa TLC. El tipo se mide en bits por celda —SLC, MLC, TLC y QLC, de uno a cuatro— y equilibra densidad frente a resistencia y velocidad de escritura sostenida: la QLC es la más barata por gigabyte, la TLC el término medio habitual, y cuanto más densa la celda, antes decae la escritura sostenida. En cuanto al controlador: el controlador de PNY CS900 4TB no se especifica, y Samsung 870 EVO 4TB usa el controlador Samsung MKX controller. Es el chip que gestiona la corrección de errores, el nivelado de desgaste y dónde cae cada escritura —buena parte de cómo aguanta una unidad bajo carga— aunque su referencia por sí sola diga poco. En cuanto a la garantía: PNY CS900 4TB tiene 3 años de garantía, Samsung 870 EVO 4TB tiene 5 años de garantía. La duración es el voto de confianza del propio fabricante, y en un SSD suele seguir a la resistencia certificada —una garantía más larga suele significar más escrituras garantizadas.

Cuál comprar

Si falta el precio de al menos un lado, no hay veredicto de coste que dar. Lo que separa a dos unidades por lo demás parecidas está en las secciones de arriba —comportamiento sostenido y aleatorio, si llevan caché DRAM, el tipo de memoria y la garantía—, así que sopésalo frente a lo que tu equipo necesita.

Preguntas frecuentes sobre esta comparación

¿Cuál es más rápido, PNY CS900 4TB o Samsung 870 EVO 4TB?
PNY CS900 4TB está especificado en 560 MB/s de lectura y 540 MB/s de escritura; Samsung 870 EVO 4TB, en 560 MB/s de lectura y 530 MB/s de escritura. El enlace SATA tiene un tope de unos 550 MB/s en cada sentido y ambos trabajan contra ese techo; las diferencias más reveladoras entre discos SATA están en cómo aguanta cada uno la carga sostenida, si lleva caché DRAM y cuánta escritura está certificado a soportar.
¿Deberías comprar PNY CS900 4TB o Samsung 870 EVO 4TB?
Si falta el precio de al menos un lado, no hay veredicto de coste que dar. Lo que separa a dos unidades por lo demás parecidas está en las secciones de arriba —comportamiento sostenido y aleatorio, si llevan caché DRAM, el tipo de memoria y la garantía—, así que sopésalo frente a lo que tu equipo necesita.
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