PNY XLR8 CS3140 1TB vs Samsung 990 Pro 1TB
Al menos uno de los dos no tiene un precio que el sitio siga actualmente, así que lo que sigue pondera solo especificaciones.
| Especificación | PNYXLR8 CS3140 1TB | Samsung990 Pro 1TB |
|---|---|---|
| Capacidad (GB) | 1000 | 1000 |
| Lectura secuencial (MB/s) | 7500mejor | 7450 |
| Escritura secuencial (MB/s) | 5650 | 6900mejor |
| Mejor precio actual | — | — |
| Price per TB | — | — |
| Endurance (TBW) | 700mejor | 600 |
| Garantía (años) | 5 | 5 |
| Caché DRAM | Yes | Yes |
| Tipo de NAND | tlc | tlc |
| Controladora | Phison PS5018-E18 | Samsung Pascal |
Cómo se comparan estos dos
Tasa de transferencia secuencial
PNY XLR8 CS3140 1TB declara 7500 MB/s de lectura y 5650 MB/s de escritura; Samsung 990 Pro 1TB declara 7450 MB/s de lectura y 6900 MB/s de escritura, ambos sobre PCIe. Cifras secuenciales como estas describen transferencias grandes y sostenidas; la fluidez que notas en el día a día sigue más de cerca al acceso aleatorio que a estos valores máximos.
Durabilidad
PNY XLR8 CS3140 1TB está homologado para 700 TBW y Samsung 990 Pro 1TB para 600 TBW —el total que el fabricante garantiza que se puede escribir a lo largo de la vida de la unidad. Un equipo de sobremesa típico escribe solo unos pocos terabytes al año, así que cualquiera de las cifras deja años de margen; el número importa sobre todo como señal relativa de cuánto está construida cada una para exigirse.
Caché DRAM
En cuanto a la caché: PNY XLR8 CS3140 1TB lleva caché DRAM, y Samsung 990 Pro 1TB lleva caché DRAM. La DRAM mantiene cerca la tabla de asignación de la flash, ahorrando una consulta en casi cada acceso; una unidad que carece de ella se apoya en la memoria del host o en su propia flash, lo que suele notarse como escrituras aleatorias sostenidas más lentas y no en las cifras secuenciales destacadas.
NAND, controlador y garantía
En cuanto a la memoria flash: PNY XLR8 CS3140 1TB usa TLC, y Samsung 990 Pro 1TB usa TLC. Los tipos de NAND cuentan bits por celda —más bits meten más capacidad en el mismo silicio, pero acortan la resistencia de escritura y ralentizan la escritura sostenida, por lo que la QLC queda por debajo de la TLC en rendimiento duradero aunque coincidan las cifras secuenciales. Controlador: PNY XLR8 CS3140 1TB usa el controlador Phison PS5018-E18 y Samsung 990 Pro 1TB usa el controlador Samsung Pascal. El controlador gestiona el nivelado de desgaste, la corrección de errores y la tabla de asignación, así que moldea el comportamiento sostenido y aleatorio tanto como la flash —aunque el nombre del modelo por sí solo predice poco sin pruebas. PNY XLR8 CS3140 1TB tiene 5 años de garantía y Samsung 990 Pro 1TB tiene 5 años de garantía —el tiempo que el fabricante respalda la unidad, y por lo general un reflejo de la resistencia para la que está certificada.
Cuál comprar
El sitio no guarda precio actual de al menos uno de los dos, así que no puede zanjarlo por coste. Júzgalos por las especificaciones de arriba —a igual capacidad e interfaz, dos unidades suelen diferenciarse por cosas como la caché DRAM, el tipo de NAND, la resistencia y la garantía, así que sopesa las que las secciones de arriba muestren.
Preguntas frecuentes sobre esta comparación
- ¿Cuál es más rápido, PNY XLR8 CS3140 1TB o Samsung 990 Pro 1TB?
- PNY XLR8 CS3140 1TB declara 7500 MB/s de lectura y 5650 MB/s de escritura; Samsung 990 Pro 1TB declara 7450 MB/s de lectura y 6900 MB/s de escritura, ambos sobre PCIe. Cifras secuenciales como estas describen transferencias grandes y sostenidas; la fluidez que notas en el día a día sigue más de cerca al acceso aleatorio que a estos valores máximos.
- ¿Deberías comprar PNY XLR8 CS3140 1TB o Samsung 990 Pro 1TB?
- El sitio no guarda precio actual de al menos uno de los dos, así que no puede zanjarlo por coste. Júzgalos por las especificaciones de arriba —a igual capacidad e interfaz, dos unidades suelen diferenciarse por cosas como la caché DRAM, el tipo de NAND, la resistencia y la garantía, así que sopesa las que las secciones de arriba muestren.