PNY CS900 4TB vs Samsung 870 EVO 4TB
Le site ne tient aucun prix actuel pour au moins l'un des deux, donc ce qui suit ne compare que les caractéristiques.
| Spécification | PNYCS900 4TB | Samsung870 EVO 4TB |
|---|---|---|
| Capacité (GB) | 4000 | 4000 |
| Lecture séquentielle (MB/s) | 560 | 560 |
| Écriture séquentielle (MB/s) | 540meilleur | 530 |
| Meilleur prix actuel | — | $2,101.37chez Amazon.ca · relevé le 2026-09-13 |
| Price per TB | — | $525.34 |
| Garantie (ans) | 3 | 5meilleur |
| Cache DRAM | — | Yes |
| Type de NAND | tlc | tlc |
| Contrôleur | — | Samsung MKX controller |
Comment ces deux-là se comparent
Débit séquentiel
PNY CS900 4TB est donné pour 560 MB/s en lecture et 540 MB/s en écriture ; Samsung 870 EVO 4TB, pour 560 MB/s en lecture et 530 MB/s en écriture. Le lien SATA plafonne autour de 550 MB/s dans chaque sens, et les deux travaillent contre ce plafond ; les différences les plus parlantes entre disques SATA tiennent à leur tenue en charge soutenue, à la présence ou non d'un cache DRAM, et à la quantité d'écriture que chacun est certifié encaisser.
Cache DRAM
PNY CS900 4TB ne précise pas de cache DRAM ; Samsung 870 EVO 4TB dispose d'un cache DRAM. Un cache DRAM conserve la table de correspondance du disque — l'index de l'emplacement physique de chaque bloc — si bien que le contrôleur écrit et retrouve les données sans consultation supplémentaire de la mémoire flash. Un disque sans DRAM emprunte à la place un peu de mémoire système (HMB) ou une portion de sa propre flash, et ralentit plus facilement lorsqu'une longue série d'écritures aléatoires épuise son cache rapide.
NAND, contrôleur et garantie
NAND : PNY CS900 4TB utilise de la TLC et Samsung 870 EVO 4TB utilise de la TLC. Le type se compte en bits par cellule — SLC, MLC, TLC et QLC, de un à quatre — un arbitrage entre densité, endurance et vitesse d'écriture soutenue : la QLC est la moins chère au gigaoctet, la TLC le compromis courant, et plus la cellule est dense, plus tôt l'écriture soutenue s'essouffle. Côté contrôleur : le contrôleur de PNY CS900 4TB n'est pas précisé, et Samsung 870 EVO 4TB utilise le Samsung MKX controller. C'est la puce qui gère la correction d'erreurs, le nivellement d'usure et l'emplacement de chaque écriture — une bonne part de la tenue en charge d'un disque — même si sa référence seule vous apprend peu. Côté garantie : PNY CS900 4TB est garanti 3 ans, Samsung 870 EVO 4TB est garanti 5 ans. La durée est le gage de confiance du fabricant lui-même, et sur un SSD elle suit généralement l'endurance certifiée — une garantie plus longue signifiant d'ordinaire plus d'écritures garanties.
Lequel choisir
Faute de prix pour au moins l'un des deux, aucun verdict sur le coût n'est possible. Ce qui sépare deux disques par ailleurs semblables se trouve dans les sections ci-dessus — comportement soutenu et aléatoire, présence ou non d'un cache DRAM, type de mémoire et garantie — alors pesez cela au regard de vos besoins.
Questions fréquentes sur ce duel
- Lequel est le plus rapide, PNY CS900 4TB ou Samsung 870 EVO 4TB ?
- PNY CS900 4TB est donné pour 560 MB/s en lecture et 540 MB/s en écriture ; Samsung 870 EVO 4TB, pour 560 MB/s en lecture et 530 MB/s en écriture. Le lien SATA plafonne autour de 550 MB/s dans chaque sens, et les deux travaillent contre ce plafond ; les différences les plus parlantes entre disques SATA tiennent à leur tenue en charge soutenue, à la présence ou non d'un cache DRAM, et à la quantité d'écriture que chacun est certifié encaisser.
- Devriez-vous acheter PNY CS900 4TB ou Samsung 870 EVO 4TB ?
- Faute de prix pour au moins l'un des deux, aucun verdict sur le coût n'est possible. Ce qui sépare deux disques par ailleurs semblables se trouve dans les sections ci-dessus — comportement soutenu et aléatoire, présence ou non d'un cache DRAM, type de mémoire et garantie — alors pesez cela au regard de vos besoins.