PNY XLR8 CS3140 1TB vs Samsung 990 Pro 1TB
Almeno uno dei due non ha alcun prezzo attualmente monitorato dal sito, quindi quanto segue pesa unicamente le caratteristiche.
| Specifica | PNYXLR8 CS3140 1TB | Samsung990 Pro 1TB |
|---|---|---|
| Capacità (GB) | 1000 | 1000 |
| Lettura sequenziale (MB/s) | 7500migliore | 7450 |
| Scrittura sequenziale (MB/s) | 5650 | 6900migliore |
| Miglior prezzo attuale | — | — |
| Price per TB | — | — |
| Endurance (TBW) | 700migliore | 600 |
| Garanzia (anni) | 5 | 5 |
| Cache DRAM | Yes | Yes |
| Tipo di NAND | tlc | tlc |
| Controller | Phison PS5018-E18 | Samsung Pascal |
Come si confrontano questi due
Velocità sequenziale
PNY XLR8 CS3140 1TB dichiara 7500 MB/s in lettura e 5650 MB/s in scrittura; Samsung 990 Pro 1TB dichiara 7450 MB/s in lettura e 6900 MB/s in scrittura, entrambi su PCIe. Numeri sequenziali come questi descrivono grandi trasferimenti prolungati; la reattività che si nota giorno per giorno segue l'accesso casuale più da vicino di questi valori di picco.
Resistenza
PNY XLR8 CS3140 1TB è dichiarato per 700 TBW e Samsung 990 Pro 1TB per 600 TBW — il totale che il produttore garantisce di poter scrivere nell'arco di vita dell'unità. Un desktop tipico scrive solo pochi terabyte l'anno, così ciascun valore lascia molti anni di margine; il numero conta soprattutto come segnale relativo di quanto duramente ciascuna è costruita per essere spinta.
Cache DRAM
Sul fronte della cache: PNY XLR8 CS3140 1TB dispone di una cache DRAM, e Samsung 990 Pro 1TB dispone di una cache DRAM. La DRAM tiene a portata la tabella di corrispondenza della flash, risparmiando una ricerca a quasi ogni accesso; un'unità che ne è priva si appoggia alla memoria dell'host o alla propria flash, cosa che di solito emerge come scritture casuali sostenute più lente e non nei numeri sequenziali di punta.
NAND, controller e garanzia
Sulla memoria flash in sé: PNY XLR8 CS3140 1TB usa TLC, e Samsung 990 Pro 1TB usa TLC. I tipi di NAND contano i bit per cella — più bit stipano più capacità sullo stesso silicio, ma riducono la resistenza in scrittura e rallentano la scrittura sostenuta, per cui la QLC resta sotto la TLC nelle prestazioni durature anche a numeri sequenziali pari. Controller: PNY XLR8 CS3140 1TB usa il controller Phison PS5018-E18 e Samsung 990 Pro 1TB usa il controller Samsung Pascal. Il controller gestisce il livellamento dell'usura, la correzione degli errori e la tabella di corrispondenza, quindi plasma il comportamento sostenuto e casuale quanto la flash — anche se il solo nome del modello dice poco senza prove. PNY XLR8 CS3140 1TB ha 5 anni di garanzia e Samsung 990 Pro 1TB ha 5 anni di garanzia — il periodo per cui il produttore risponde dell'unità, e di solito un riflesso della resistenza per cui è certificata.
Quale scegliere
Il sito non tiene alcun prezzo attuale per almeno uno dei due, quindi non può deciderlo sul costo. Giudicateli sulle caratteristiche qui sopra — a parità di capacità e interfaccia, due unità si distinguono di solito per aspetti come la cache DRAM, il tipo di NAND, la resistenza e la garanzia, quindi valutate quelli che le sezioni qui sopra riportano.
Domande frequenti su questo confronto
- Quale è più veloce, PNY XLR8 CS3140 1TB o Samsung 990 Pro 1TB?
- PNY XLR8 CS3140 1TB dichiara 7500 MB/s in lettura e 5650 MB/s in scrittura; Samsung 990 Pro 1TB dichiara 7450 MB/s in lettura e 6900 MB/s in scrittura, entrambi su PCIe. Numeri sequenziali come questi descrivono grandi trasferimenti prolungati; la reattività che si nota giorno per giorno segue l'accesso casuale più da vicino di questi valori di picco.
- Dovreste acquistare PNY XLR8 CS3140 1TB o Samsung 990 Pro 1TB?
- Il sito non tiene alcun prezzo attuale per almeno uno dei due, quindi non può deciderlo sul costo. Giudicateli sulle caratteristiche qui sopra — a parità di capacità e interfaccia, due unità si distinguono di solito per aspetti come la cache DRAM, il tipo di NAND, la resistenza e la garanzia, quindi valutate quelli che le sezioni qui sopra riportano.